[发明专利]一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法在审
| 申请号： | 202010768651.0 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN111710671A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 王亮;石浩;杜玉杰 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/04;H01L23/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 秦广成 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法，高压功率半导体芯片的封装结构包括：基板；位于所述基板上的高压功率半导体芯片，所述高压功率半导体芯片与所述基板相背的一面具有栅极；覆盖所述高压功率半导体芯片的第一封装框盖，所述第一封装框盖具有第一顶板，所述第一顶板中具有栅极预留口；栅极引出部，所述栅极引出部的一端位于所述栅极预留口中且与所述栅极电学连接。所述高压功率半导体芯片的封装结构的寄生电感降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 半导体 芯片 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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