[发明专利]半导体存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010695472.9 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN113948493A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 金一球;李俊杰;周娜;李琳;王佳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/22;H01L27/24;H01L27/11502;H01L27/11585 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 孙峰芳 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法，存储器件包括：存储单元，该存储单元包括从下至上依次堆叠的底电极、介质层以及顶电极；底部金属线，与底电极连接；顶部金属线，与顶电极连接，且顶部金属线包括从顶部金属线沟槽向下纵向延伸的第一部分以及位于顶部金属线沟槽中的第二部分；层间介质层，环绕在存储单元和顶部金属线周围。本发明能够增加顶部金属线沟槽底部到存储单元介质层的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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