[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010589009.6 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113838934B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述伪栅极结构两侧的鳍部结构内形成源漏开口；在所述基底上和源漏开口内形成介质层以及位于介质层内的若干开口，沿伪栅极结构的延伸方向，所述开口暴露出鳍部结构的顶部表面，且相邻鳍部结构上对应的相邻开口之间具有介质层；在所述开口内形成源漏掺杂层。所述介质层起到限定源漏掺杂层的空间，使得位于相邻鳍部结构内的源漏掺杂层之间不会发生桥接，有利于提高形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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