[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底上具有若干鳍部结构和隔离层，所述鳍部结构包括若干层沿所述基底表面法线方向交替层叠的牺牲层和沟道层，所述隔离层覆盖所述鳍部结构的侧壁表面，且所述隔离层的顶部表面低于最底层的所述牺牲层的底部表面；

伪栅极结构，位于基底上横跨所述鳍部结构且覆盖所述鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；

源漏开口，位于所述伪栅极结构两侧的所述鳍部结构内；

介质层，位于所述基底上和源漏开口内、以及位于介质层内的若干开口，沿伪栅极结构的延伸方向，所述开口暴露出鳍部结构的顶部表面，且相邻鳍部结构上对应的相邻开口之间具有介质层；

源漏掺杂层，位于所述开口内。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于相邻沟道层之间的凹槽以及位于所述凹槽内的第一侧墙，且所述凹槽位于牺牲层内，所述源漏开口暴露出所述凹槽侧壁。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：仅位于伪栅极结构两侧侧壁表面的第二侧墙；所述源漏开口位于所述伪栅极结构和第二侧墙两侧的所述鳍部结构内。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：沿伪栅极结构延伸方向，所述开口的尺寸大于所述鳍部结构的尺寸。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿伪栅极结构延伸方向，所述开口的尺寸大于鳍部结构的尺寸的范围为6纳米～30纳米。

6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有若干鳍部结构和隔离层，所述鳍部结构包括若干层沿所述基底表面法线方向交替层叠的牺牲层和沟道层，所述隔离层覆盖所述鳍部结构的侧壁表面，且所述隔离层的顶部表面低于最底层的所述牺牲层的底部表面；

在所述基底上形成横跨所述鳍部结构的伪栅极结构，且所述伪栅极结构覆盖所述鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；

在所述伪栅极结构两侧的鳍部结构内形成源漏开口；

在所述基底上和源漏开口内形成介质层、以及位于介质层内的若干开口，沿伪栅极结构的延伸方向，所述开口暴露出鳍部结构的顶部表面，且相邻鳍部结构上对应的相邻开口之间具有介质层；

在所述开口内形成源漏掺杂层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述源漏开口之后，形成所述介质层之前，去除所述源漏开口侧壁暴露出的部分牺牲层，在相邻沟道层之间形成凹槽；在所述凹槽内形成第一侧墙。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述凹槽内形成第一侧墙的方法包括：在源漏开口的底部表面、凹槽内以及伪栅极结构顶部表面和侧壁表面形成第一侧墙材料膜，所述第一侧墙材料膜填充满所述凹槽；回刻蚀所述第一侧墙材料膜，直至暴露出源漏开口的底部表面和侧壁表面，在所述凹槽内形成所述第一侧墙。

9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成第一侧墙之前，仅在所述伪栅极结构两侧的侧壁表面形成第二侧墙；在所述伪栅极结构和所述第二侧墙两侧的鳍部结构内形成所述源漏开口。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙的形成方法包括：在所述鳍部结构顶部和侧壁表面以及伪栅极结构的顶部表面和侧壁表面形成第二侧墙材料膜；刻蚀所述第二侧墙材料膜，直至暴露出鳍部结构的顶部表面和侧壁表面以及伪栅极结构的顶部表面，仅在伪栅极结构侧壁表面形成第二侧墙。