[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010588956.3 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN112151502A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 吴旭升;林佑波 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，在此公开有助于降低电容及/或电阻的互连以及相应的互连形成技术。示范的互连是设置在绝缘层内。互连具有金属接触物、环绕金属接触物的侧壁的接触隔离层，以及设置于接触隔离层与绝缘层之间的气隙。气隙的气隙密封件具有设置在接触隔离层的顶面上且未设置在绝缘层的顶面上的第一部分，以及设置在接触隔离层与绝缘层之间的第二部分，使得第二部分环绕金属接触物的侧壁的顶部。气隙密封件可包含非晶硅及/或氧化硅。接触隔离层可包含氮化硅。绝缘层可包含氧化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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