[发明专利]半导体薄膜的沉积设备和沉积方法有效
申请号: | 202010584724.0 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN113832449B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 杨德赞;谭华强;王燚;刘闻敏;魏有雯 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455;C23C16/46 |
代理公司: | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人: | 程晓 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是关于一种半导体薄膜的沉积设备和沉积方法,包括腔体和盖板,加热盘,加热盘通过支撑杆支撑,还包括:晶圆升降机构设置于腔体内;水平调节机构设置于腔体外;晶圆升降机构包括:同心定位盘设置于腔体内,位于加热盘的下方;同心调整手,通过板簧设置于同心定位盘的边缘上,与同心定位盘活动连接,同心调整手包括平行设置的第一横板第二横板和竖板;顶针支板,设置于加热盘和第二横板之间,均匀设有多个顶针;蓝宝石玻璃,设置于顶针支板的下方;动力单元,通过支杆与顶针支板连接,支杆贯穿腔体。保证晶圆与加热盘和喷淋板的同心设置,以及三者平行度,从而提高晶圆的薄膜沉积质量,提高产品的成品率,进而提高企业的经济性。 | ||
搜索关键词: | 半导体 薄膜 沉积 设备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拓荆科技股份有限公司,未经拓荆科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010584724.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可无线转能的透明计时装置
- 下一篇:一种FinFET结构的固相源掺杂方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的