[发明专利]半导体薄膜的沉积设备和沉积方法

说明书

本发明是关于一种半导体薄膜的沉积设备和沉积方法，包括腔体和盖板，加热盘，加热盘通过支撑杆支撑，还包括：晶圆升降机构设置于腔体内；水平调节机构设置于腔体外；晶圆升降机构包括：同心定位盘设置于腔体内，位于加热盘的下方；同心调整手，通过板簧设置于同心定位盘的边缘上，与同心定位盘活动连接，同心调整手包括平行设置的第一横板第二横板和竖板；顶针支板，设置于加热盘和第二横板之间，均匀设有多个顶针；蓝宝石玻璃，设置于顶针支板的下方；动力单元，通过支杆与顶针支板连接，支杆贯穿腔体。保证晶圆与加热盘和喷淋板的同心设置，以及三者平行度，从而提高晶圆的薄膜沉积质量，提高产品的成品率，进而提高企业的经济性。

技术领域

本发明涉及半导体薄膜沉积技术领域，尤其涉及一种半导体薄膜的沉积设备和沉积方法。

背景技术

对于半导体薄膜沉积设备，目前产能较高且应用广泛的产品为直径300毫米的硅晶圆衬底，对于直径300毫米的晶圆的沉积，薄膜沉积设备中与晶圆直接或间接接触的零部件通常设置为圆形，例如真空腔体、真空腔体内部的零件加热盘(下基板)、喷淋板(上极板)等。通过这样设置，能够使晶圆表面沉积的薄膜比较均匀，且真空腔体内部体积相对最小。晶圆与这些圆形部件的同心情况或平行位置，则会极大影响到薄膜沉积的质量。

因此，有必要开发一种半导体薄膜的沉积设备和沉积方法，在真空环境下，通过调整晶圆与加热盘(下基板)、喷淋板(上极板)同轴度及平行度，进而能够有效地提高薄膜沉积质量。

发明内容

本发明旨在解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

为此本发明的第一方面提出了一种半导体薄膜的沉积设备。

本发明的第二方面提出了一种半导体薄膜的沉积方法。

有鉴于此，本发明的第一方面提出了一种半导体薄膜的沉积设备，所述沉积设备包括腔体和设置于腔体上方的盖板，所述腔体的中心处设有加热盘，所述加热盘通过支撑杆支撑，所述沉积设备还包括：

晶圆升降机构，设置于所述腔体的内部；

水平调节机构，设置于所述腔体的外部；

其中，所述晶圆升降机构包括：

同心定位盘，设置于所述腔体内，所述同心定位盘位于所述加热盘的下方，所述同心定位盘的尺寸与所述腔体的尺寸相匹配；

同心调整手，通过板簧设置于所述同心定位盘的边缘上，所述同心调整手与所述同心定位盘活动连接，所述同心调整手包括平行设置的第一横板和第二横板，以及连接所述第一横板和所述第二横板的竖板，所述加热盘设置于所述第一横板和所述第二横板之间；

顶针支板，设置于所述加热盘和所述第二横板之间，所述顶针支板上均匀设有多个顶针；

蓝宝石玻璃，设置于所述顶针支板的下方；

动力单元，通过支杆与所述顶针支板连接，所述支杆贯穿所述腔体。

进一步地，所述水平调节机构包括：

X轴旋转弧形座，设置于所述支撑杆的下端；

第一伺服电机，与所述第一减速器连接，所述第一减速器的输出轴上设有第一偏心凸轮，所述第一偏心轮与所述X轴旋转弧形座匹配设置；

Y轴旋转弧形座，设置于所述支撑杆的下端，所述Y轴旋转弧形座位于所述X轴旋转弧形座的下方；

第二伺服电机，与所述第二减速器连接，所述第二减速器的输出轴上设有第二偏心轮，所述第二偏心轮与所述Y轴旋转弧形座匹配设置。

进一步地，所述沉积设备还包括：

吸附机构，设置于所述加热盘上。

进一步地，所述沉积设备还包括：