[发明专利]半导体薄膜的沉积设备和沉积方法

权利要求书

1.一种半导体薄膜的沉积设备，所述沉积设备包括腔体和设置于腔体上方的盖板，所述腔体的中心处设有加热盘，所述加热盘通过支撑杆支撑，其特征在于，所述沉积设备还包括：

晶圆升降机构，设置于所述腔体的内部；

水平调节机构，设置于所述腔体的外部；

其中，所述晶圆升降机构包括：

同心定位盘，设置于所述腔体内，所述同心定位盘位于所述加热盘的下方，所述同心定位盘的尺寸与所述腔体的尺寸相匹配；

同心调整手，通过板簧设置于所述同心定位盘的边缘上，所述同心调整手与所述同心定位盘活动连接，所述同心调整手包括平行设置的第一横板和第二横板，以及连接所述第一横板和所述第二横板的竖板，所述加热盘设置于所述第一横板和所述第二横板之间；

顶针支板，设置于所述加热盘和所述第二横板之间，所述顶针支板上均匀设有多个顶针；

蓝宝石玻璃，设置于所述顶针支板的下方；

动力单元，通过支杆与所述顶针支板连接，所述支杆贯穿所述腔体。

2.根据权利要求1所述的半导体薄膜的沉积设备，其特征在于，所述水平调节机构包括：

X轴旋转弧形座，设置于所述支撑杆的下端；

第一伺服电机，与所述第一减速器连接，所述第一减速器的输出轴上设有第一偏心凸轮，所述第一偏心轮与所述X轴旋转弧形座匹配设置；

Y轴旋转弧形座，设置于所述支撑杆的下端，所述Y轴旋转弧形座位于所述X轴旋转弧形座的下方；

第二伺服电机，与所述第二减速器连接，所述第二减速器的输出轴上设有第二偏心轮，所述第二偏心轮与所述Y轴旋转弧形座匹配设置。

3.根据权利要求1所述的半导体薄膜的沉积设备，其特征在于，所述沉积设备还包括：

吸附机构，设置于所述加热盘上。

4.根据权利要求1所述的半导体薄膜的沉积设备，其特征在于，所述沉积设备还包括：

波纹管，外套于所述支撑杆上，所述波纹管位于所述腔体的外部。

5.根据权利要求1所述的半导体薄膜的沉积设备，其特征在于，所述沉积设备还包括：

喷淋板，设置于所述盖板上，所述喷淋板位于所述腔体内。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体薄膜的沉积设备，其特征在于，所述沉积设备还包括：

基座，与所述腔体的外部连接；

升降电机，设置于所述基座上，所述升降电机的输出轴与所述支撑杆连接。

7.一种半导体薄膜的沉积方法，利用权利要求1至6中任一项所述的半导体薄膜的沉积设备实现，其特征在于，所述沉积方法包括如下步骤：

将待加工晶圆传入腔体内，调整所述待加工晶圆的位置，使所述待加工晶圆与加热盘同心放置；

吸附所述待加工晶圆，开始薄膜沉积，并在沉积过程中根据需要调整所述加热盘位置，使所述加热盘能够与喷淋板处于任意角度；

所述薄膜沉积结束后，所述加热盘恢复至初始位置，松开所述待加工晶圆；

调整所述待加工晶圆的位置，使所述待加工晶圆与加热盘同心放置，所述待加工晶圆传出所述腔体。

8.根据权利要求7所述的半导体薄膜的沉积方法，其特征在于，通过晶圆升降机构调整所述待加工晶圆的位置，使所述待加工晶圆与加热盘同心放置。

9.根据权利要求7所述的半导体薄膜的沉积方法，其特征在于，通过吸附机构吸附所述待加工晶圆。

10.根据权利要求7所述的半导体薄膜的沉积方法，其特征在于，通过水平调节机构能够调整所述加热盘位置，使所述加热盘能够与喷淋板处于任意角度。