[发明专利]一种图形化衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 202010532143.2 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN111681948A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;贲建伟;孙晓娟;蒋科;张山丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种图形化衬底的制备方法，属于半导体材料外延生长技术领域，包括以下步骤：S1：在异质衬底上外延生长AlGaN材料层；S2：以惰性气体或还原性气体作为保护气体热处理所述AlGaN材料层，获得图形化衬底；其中，控制热处理的温度为1200℃‑1700℃，时间小于10h。本发明还提供了一种采用上述图形化衬底的制备方法制备的图形化衬底。本发明的图形化衬底的制备方法，流程简单、图形尺寸容易控制、无需刻蚀工艺、掩膜工艺等复杂工艺的图形化衬底制备方法，可以大大节省时间以及经济成本，且制备的图形化衬底具有较高质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
