[发明专利]半导体存储装置及其形成方法在审
| 申请号： | 202010531778.0 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111640759A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 张钦福;林昭维;朱家仪;冯立伟;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储装置及其形成方法，半导体存储装置包含一基底；多个主动区；以及多个位线。各主动区位于基底上。位线相互平行地沿着第一方向间隔地设置在基底上，位线横跨主动区，其中各位线具有相对的第一端与第二端，位线的第一端及第二端呈错位排列且分别具有不同的长度。该半导体存储装置的位线结构可提升后续插塞形成的制作工艺空间，进而改善插塞的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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