专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [外观设计]景观建筑物-CN202230675836.7有效
  • 朱家仪 - 朱家仪
  • 2022-10-13 - 2023-10-20 - 25-03
  • 1.本外观设计产品的名称:景观建筑物。2.本外观设计产品的用途:用于城市景观,建筑装饰。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。
  • 景观建筑物
  • [实用新型]一种易于拆卸的连接件-CN202320496609.7有效
  • 赵亮;蔡怡婷;朱家仪 - 福州工商学院
  • 2023-03-15 - 2023-08-22 - F16B5/02
  • 本实用新型公开了一种易于拆卸的连接件,包括第一连接件和第二连接件,第一连接件的一侧安装有连接机构,第一连接件和第二连接件通过连接机构连接,第二连接件一侧的顶部和底部均固定有连接筋,两个连接筋均和第一连接件滑动连接,第一连接件内侧设置有锁定机构,锁定机构和其中一个连接筋锁定,第一连接件和第二连接件相互靠近的一侧均开设有矩形凹槽。本实用新型通过连接机构和锁定机构的设计,使得使用者能够通过转动第二螺杆和第一螺杆来连接第一连接件和第二连接件,此时两个连接筋插入第一连接件一侧的两个梯形孔内,且通过蜗轮和蜗杆的连接,使得装置具有自锁性,增强了装置的稳定性。
  • 一种易于拆卸连接
  • [发明专利]栅极结构与其制作方法-CN202010507029.4有效
  • 张钦福;林昭维;朱家仪;童宇诚 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2020-06-05 - 2023-04-04 - H01L29/423
  • 本发明公开了一种栅极结构,包含一有源区、一第一栅极介电层位于所述有源区上、遮蔽层位于所述第一栅极介电层上且分别位于所述栅极结构两侧的边缘部位、一第二栅极介电层共形地位于所述第一栅极介电层与所述遮蔽层上、一栅极导电层位于所述第二栅极介电层上,其中所述第二栅极介电层围绕所述栅极导电层、以及一氮化硅盖层位于所述栅极导电层上。本发明所提出具有特殊设计的栅极介电层,可以抑制GIDL问题,同时又不会引起其他不良的影响。
  • 栅极结构与其制作方法
  • [发明专利]一种软体气爪-CN202110407314.3有效
  • 曹淼龙;朱家仪;周婵;牟宗浪;张波 - 浙江科技学院
  • 2021-04-15 - 2023-01-17 - B65G47/90
  • 本发明公开了一种软体气爪,包括上固定盘,下固定盘,连接支架,夹指安装支架,双层内外压缩气囊,柔性三节点夹指,上固定盘、下固定盘分别安装在双层内外压缩气囊顶部和底端,连接支架连接上固定盘,与夹指安装支架连接,夹指安装支架连接下固定盘。柔性三节点夹指安装在夹指安装支架上。软体气爪全部采用气泵作为动力来源,有三只柔性三节点夹指,软体气爪成本低,有良好的抓取力。
  • 一种软体
  • [发明专利]栅极结构与其制作方法-CN202010507071.6有效
  • 张钦福;林昭维;朱家仪;童宇诚 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2020-06-05 - 2023-01-06 - H01L29/423
  • 本发明公开了一种栅极结构,包含一有源区、一第一介电层位于所述有源区上且位于栅极图案两侧的边缘部位、一第二介电层位于所述栅极图案中间的所述有源区上以及所述栅极图案两侧的边缘部位的所述第一介电层上,其中所述第二介电层位于所述第一介电层上的部位的厚度大于所述第二介电层位于所述有源区上的部位的厚度、一导电层位于所述第二介电层上、一阻障层位于所述导电层上、一金属层位于所述阻障层上,其中所述阻障层围绕在所述金属层的底面与侧壁上、以及一氮化硅层位于所述金属层上。本发明具有特殊的栅极介电层设计,可以抑制GIDL问题,同时又不会引起其他不良的影响。
  • 栅极结构与其制作方法
  • [发明专利]半导体存储器件与其制作方法-CN202010478418.9有效
  • 张钦福;林昭维;朱家仪;童宇诚 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2020-05-29 - 2022-05-20 - H01L27/108
  • 本发明公开了一种半导体存储器件与其制作方法。其中,半导体存储器件包括一半导体基板、字线结构,位在所述半导体基板中、位线结构,位在所述字线结构之上并跨过所述字线结构、间隔物结构,位在所述字线结构正上方并介于所述位线结构之间、存储节点接触结构,位于所述位线结构与所述间隔物结构所界定出的空间中并与所述半导体基板连接,所述存储节点接触结构突出于所述位线结构与所述间隔物结构的顶面上的部位为接触垫、以及接触垫隔离结构,位于所述间隔物结构上方以及所述位线结构上方并介于所述接触垫之间,其中所述接触垫隔离结构包含氮化硅材质的外层以及氧化硅材质的内层。
  • 半导体存储器件与其制作方法

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