[发明专利]半导体材料及其制备方法和应用、激光器、光电探测器有效
| 申请号： | 202010445691.1 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111584657B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 杜鹏 | 申请（专利权）人： | 湖南科莱特光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/105;H01S5/30;H01S5/343;H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘建荣 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市雨花区*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体领域，具体而言，提供了一种半导体材料及其制备方法和应用、激光器、光电探测器。所述半导体材料包括依次设置的硅衬底、第一GaAs缓冲层、GaSb缓冲层和InAs(Sb)/In |
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| 搜索关键词： | 半导体材料 及其 制备 方法 应用 激光器 光电 探测器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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