[发明专利]半导体材料及其制备方法和应用、激光器、光电探测器有效
| 申请号： | 202010445691.1 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111584657B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 杜鹏 | 申请（专利权）人： | 湖南科莱特光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/105;H01S5/30;H01S5/343;H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘建荣 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市雨花区*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体材料 及其 制备 方法 应用 激光器 光电 探测器 | ||
1.一种半导体材料，其特征在于，包括依次设置的硅衬底、中间层和InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y超晶格；
其中，中间层包括第一GaAs缓冲层和GaSb缓冲层；
中间层还包括GaAs/AlAs超晶格位错过滤层、第二GaAs缓冲层或Ge缓冲层中的至少一种；
其中0x1，0y1。
2.根据权利要求1所述的半导体材料，其特征在于，硅衬底、第一GaAs缓冲层、GaSb缓冲层和InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y超晶格依次排列。
3.根据权利要求1所述的半导体材料，其特征在于，中间层的厚度为100-5000nm。
4.根据权利要求1所述的半导体材料，其特征在于，所述中间层还包括GaAs/AlAs超晶格位错过滤层，硅衬底、GaAs/AlAs超晶格位错过滤层、第一GaAs缓冲层、GaSb缓冲层和InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y超晶格依次排列。
5.根据权利要求1所述的半导体材料，其特征在于，所述中间层还包括Ge缓冲层，硅衬底、Ge缓冲层、第一GaAs缓冲层、GaSb缓冲层和InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y超晶格依次排列。
6.根据权利要求1所述的半导体材料，其特征在于，所述中间层还包括GaAs/AlAs超晶格位错过滤层和第二GaAs缓冲层，硅衬底、第二GaAs缓冲层、GaAs/AlAs超晶格位错过滤层、第一GaAs缓冲层、GaSb缓冲层和InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y超晶格依次排列。
7.根据权利要求1所述的半导体材料，其特征在于，所述中间层还包括GaAs/AlAs超晶格位错过滤层和Ge缓冲层，硅衬底、Ge缓冲层、GaAs/AlAs超晶格位错过滤层、第一GaAs缓冲层、GaSb缓冲层和InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y超晶格依次排列。
8.根据权利要求1所述的半导体材料，其特征在于，所述中间层还包括第二GaAs缓冲层和Ge缓冲层，硅衬底、Ge缓冲层、第二GaAs缓冲层、第一GaAs缓冲层、GaSb缓冲层和InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y超晶格依次排列。
9.根据权利要求1所述的半导体材料，其特征在于，所述中间层还包括GaAs/AlAs超晶格位错过滤层、第二GaAs缓冲层和Ge缓冲层，硅衬底、Ge缓冲层、第二GaAs缓冲层、GaAs/AlAs超晶格位错过滤层、第一GaAs缓冲层、GaSb缓冲层和InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y超晶格依次排列。
10.根据权利要求1所述的半导体材料，其特征在于，所述硅衬底包括图案化硅衬底。
11.根据权利要求1-10任一项所述的半导体材料，其特征在于，所述半导体材料还包括盖层，盖层设置于InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y超晶格远离硅衬底的一侧。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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