[发明专利]电容性半导体元件有效
| 申请号： | 202010324914.9 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111430329B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 田矢真敏;川村昌靖;夏目秀隆;藤井康博 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种电容性半导体元件。电容性半导体元件(1)包括硅衬底(Sub)和层叠在硅衬底(Sub)的表面上的配线区域(LA)，其中，配线区域(LA)具有电容性区域(CR)；硅衬底(Sub)包括：阱区域(P型阱)；STI区域，其形成在硅衬底(Sub)的表面上，并与阱区域(P型阱)及配线区域(LA)相接；以及硅区域(D)，其形成在硅衬底(Sub)的表面上，且在STI区域以外的区域，与阱区域(P型阱)及配线区域(LA)相接，硅区域(D)包括极性与阱区域(P型阱)相反的杂质。根据本发明，能够减少干扰对电容性区域的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 半导体 元件 | ||
【主权项】：
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