[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010264968.0 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113497124B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/266;H01L21/265;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括衬底、栅氧化层、栅电极以及注入区，衬底包括沟槽、源区、漏区以及沟道区，沟槽包括沟槽侧壁和沟槽底壁；栅氧化层设置在沟槽内，栅氧化层包括凹槽；栅电极设置在凹槽内；注入区位于沟槽底壁的至少一侧，且注入区的至少部分相对于源区更靠近漏区，以使沟道区靠近注入区的部分的阈值电压小于远离注入区的部分的阈值电压。本公开的半导体器件通过在凹槽的内侧或外侧设置有注入区，从而会减小沟道区靠近注入区位置处的阈值电压，由于沟道区存在阈值电压相对较小的区域，则此部分的沟道区就更容易形成导通通道，也避免了此处沟道区内的电荷迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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