[发明专利]半导体结构及其预热方法在审
申请号: | 202010216794.0 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN113451309A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 寗树梁 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L25/18;G11C11/401 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;高德志 |
地址: | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体结构及其预热方法,其中所述半导体结构包括:存储芯片;温度检测单元,用于在存储芯片启动之前检测存储芯片的温度;控制芯片,用于在存储芯片启动之前对存储芯片进行加热,并判断所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值,若达到设定阈值,则控制所述存储芯片启动。当本发明的半导体结构工作在低温环境时,通过控制芯片可以使得存储芯片升温到设定阈值,从而可以防止存储芯片中的位线、字线、以及金属连线(金属接触部)由于环境温度过低带来的电阻的增大,从而减小了低温环境下的对存储器进行数据写入时的写入时间,提高了存储器写入的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 预热 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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