[发明专利]半导体结构及其预热方法在审

专利信息
申请号: 202010216794.0 申请日: 2020-03-25
公开(公告)号: CN113451309A 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 寗树梁 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L25/18;G11C11/401
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;高德志
地址: 230001 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 一种半导体结构及其预热方法,其中所述半导体结构包括:存储芯片;温度检测单元,用于在存储芯片启动之前检测存储芯片的温度;控制芯片,用于在存储芯片启动之前对存储芯片进行加热,并判断所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值,若达到设定阈值,则控制所述存储芯片启动。当本发明的半导体结构工作在低温环境时,通过控制芯片可以使得存储芯片升温到设定阈值,从而可以防止存储芯片中的位线、字线、以及金属连线(金属接触部)由于环境温度过低带来的电阻的增大,从而减小了低温环境下的对存储器进行数据写入时的写入时间,提高了存储器写入的稳定性。
搜索关键词: 半导体 结构 及其 预热 方法
【主权项】:
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