[发明专利]半导体结构及其预热方法

说明书

一种半导体结构及其预热方法，其中所述半导体结构包括：存储芯片；温度检测单元，用于在存储芯片启动之前检测存储芯片的温度；控制芯片，用于在存储芯片启动之前对存储芯片进行加热，并判断所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值，若达到设定阈值，则控制所述存储芯片启动。当本发明的半导体结构工作在低温环境时，通过控制芯片可以使得存储芯片升温到设定阈值，从而可以防止存储芯片中的位线、字线、以及金属连线(金属接触部)由于环境温度过低带来的电阻的增大，从而减小了低温环境下的对存储器进行数据写入时的写入时间，提高了存储器写入的稳定性。

技术领域

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种半导体结构及其预热方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，其存储阵列区由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

现有在低温环境中，对存储器进行写入时，存在写入时间较长，写入的稳定性仍需要提高的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是怎样减小在低温环境中对存储器进行数据写入时的写入时间，提高写入的稳定性。

为此，本发明提供了一种半导体结构，包括：

存储芯片；

温度检测单元，用于在存储芯片启动之前检测存储芯片的温度；

控制芯片，用于在存储芯片启动之前对存储芯片进行加热，并判断所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值，若达到设定阈值，则控制所述存储芯片启动。

可选的，所述存储芯片的数量为1个或者大于等于2个，所述存储芯片的数量大于等于2个时，若干存储芯片依次向上堆叠。

可选的，所述存储芯片位于控制芯片上，所述存储芯片与所述控制芯片电连接。

可选的，还包括线路基板，所述线路基板中具有连接线路，所述存储芯片以及控制芯片均位于线路基板上，所述存储芯片和控制芯片通过线路基板中的连接线路连接。

可选的，所述温度检测单元与所述控制芯片电连接，所述温度检测单元的数量为1个或者大于等于2个，所述温度检测单元位于控制芯片中或者位于存储芯片中，或者位于存储芯片和控制芯片之间的线路基板上。

可选的，所述温度检测单元数量为1个时，所述控制芯片判断所述1个温度检测单元检测的温度达到设定阈值时，则控制所有所述存储芯片启动。

可选的，所述温度检测单元数量为1个，且所述存储芯片的数量为大于等于2个时，所述控制芯片判断所述1个温度检测单元的温度达到设定阈值时，先控制离所述控制芯片最近的存储芯片启动，然后再控制上面的其他存储芯片依次启动。

可选的，所述温度检测单元数量为大于等于2个时，且所述存储芯片的数量大于等于2个时，每一个存储芯片中具有一个温度检测单元，所述控制芯片依次判断所有的所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值时，若某一个温度检测单元检测的温度达到设定阈值，则控制该温度检测单元对应的存储芯片启动。

可选的，所述控制芯片控制所述存储芯片启动后，所述控制芯片还控制所述存储芯片进行写入、读取和擦除操作。

可选的，所述控制芯片对所述存储芯片进行加热之前，所述控制芯片先进行启动，所述控制芯片利用启动后自生产生的热量对存储芯片进行加热。

可选的，所述控制芯片中具有额外的加热电路，用于对所述存储芯片进行加热。