[发明专利]半导体结构及其预热方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

存储芯片；

温度检测单元，用于在存储芯片启动之前检测存储芯片的温度；

控制芯片，用于在存储芯片启动之前对存储芯片进行加热，并判断所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值，若达到设定阈值，则控制所述存储芯片启动。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述存储芯片的数量为1个或者大于等于2个，所述存储芯片的数量大于等于2个时，若干存储芯片依次向上堆叠。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述存储芯片位于控制芯片上，所述存储芯片与所述控制芯片电连接。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括线路基板，所述线路基板中具有连接线路，所述存储芯片以及控制芯片均位于线路基板上，所述存储芯片和控制芯片通过线路基板中的连接线路连接。

5.如权利要求3或4所述的半导体结构，其特征在于，所述温度检测单元与所述控制芯片电连接，所述温度检测单元的数量为1个或者大于等于2个，所述温度检测单元位于控制芯片中或者位于存储芯片中，或者位于存储芯片和控制芯片之间的线路基板上。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述温度检测单元数量为1个时，所述控制芯片判断所述1个温度检测单元检测的温度达到设定阈值时，则控制所有所述存储芯片启动。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述温度检测单元数量为1个，且所述存储芯片的数量为大于等于2个时，所述控制芯片判断所述1个温度检测单元的温度达到设定阈值时，先控制离所述控制芯片最近的存储芯片启动，然后再控制上面的其他存储芯片依次启动。

8.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述温度检测单元数量为大于等于2个时，且所述存储芯片的数量大于等于2个时，每一个存储芯片中具有一个温度检测单元，所述控制芯片依次判断所有的所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值时，若某一个温度检测单元检测的温度达到设定阈值，则控制该温度检测单元对应的存储芯片启动。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述控制芯片控制所述存储芯片启动后，所述控制芯片还控制所述存储芯片进行写入、读取和擦除操作。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述控制芯片对所述存储芯片进行加热之前，所述控制芯片先进行启动，所述控制芯片利用启动后自生产生的热量对存储芯片进行加热。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述控制芯片中具有额外的加热电路，用于对所述存储芯片进行加热。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述控制芯片在对所述存储芯片进行加热之前或之后，所述控制芯片判断所述温度检测单元检测的存储芯片的温度是否达到设定阈值，若未达到设定阈值，则控制所述加热电路对存储芯片进行加热，如达到设定阈值，则控制所述加热电路停止对存储芯片进行加热。

13.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述存储芯片为DRAM芯片。

14.一种对半导体结构进行预热的方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括存储芯片，与所述存储芯片电连接的控制芯片，以及温度检测单元；

启动控制芯片；

通过控制芯片对未启动的存储芯片进行加热；

通过温度检测单元检测所述存储芯片的温度；

通过控制芯片判断所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值，若达到设定阈值，则控制所述存储芯片启动。