[发明专利]半导体结构有效

专利信息
申请号: 202010216439.3 申请日: 2020-03-25
公开(公告)号: CN113451272B 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 刘志拯 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/66;H01L23/00
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 熊文杰
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种半导体结构,设于裸片的衬底表面,裸片包括芯片内部电路,半导体结构包括:第一保护环,围绕芯片内部电路环形设置,用于抑制裸片的机械损伤;第二保护环,围绕芯片内部电路环形设置,用于抑制机械损伤,且用于监测机械损伤的大小;第二保护环包括多个第一结构和多个第二结构,第一结构和第二结构具有不同的机械强度和不同的电阻率。第一保护环和第二保护环为芯片内部电路提供了双重保护,解决了单一保护环对形变抵抗力不足的问题,有效抑制了裸片的机械损伤,从而提高了保护环和芯片内部电路的可靠性,而且通过监测机械损伤的大小,实时获取裸片的机械损伤情况,从而及时调整裸片的切割和保护策略,以提高芯片的加工良率。
搜索关键词: 半导体 结构
【主权项】:
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