[发明专利]位线结构和半导体存储器在审
| 申请号： | 202010216030.1 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113451270A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 熊文杰 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种位线结构和半导体存储器，所述位线结构包括第一位线阵列和第二位线阵列，第一位线阵列包括沿Y方向延伸的多条第一位线，多条所述第一位线具有相同的长度，且沿X方向对齐排列；第二位线阵列包括沿所述Y方向延伸的多条第二位线，多条所述第二位线具有相同的长度，且沿所述X方向对齐排列；其中，所述第一位线阵列与所述第二位线阵列在所述X方向上不对齐，所述X方向与所述Y方向垂直。通过使所述第一位线阵列和所述第二位线阵列在所述X方向上不对齐，为位线接触结构在水平面内提供了更大的设置空间，从而可以扩大位线接触结构的横截面面积，进而减小位线接触结构和位线之间的接触电阻，提高器件的感应裕度和充放电速度。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
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