[发明专利]具有由碳化硅构成的半导体本体的半导体装置有效
| 申请号： | 202010167059.5 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111697061B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | H-J.舒尔茨;W.博尔格纳;A.R.斯特格纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/161 | 分类号： | H01L29/161;H01L21/265;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姬亚东;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置，其具有SiC半导体本体。SiC半导体本体具有第一导电类型的第一半导体区和第二导电类型的第二半导体区。第一半导体区在SiC半导体本体的第一表面上电接触且与第二半导体区构成pn结。第一半导体区和第二半导体区沿垂直于第一表面的垂直方向重叠地布置。第一半导体区具有第一掺杂剂种类和第二掺杂剂种类。第一掺杂剂种类的平均掺杂剂浓度在第一半导体区的与SiC半导体本体的第一表面相邻的第一部分中大于第二掺杂剂种类的平均掺杂剂浓度。第二掺杂剂种类的平均掺杂剂浓度在第一半导体区的与第二半导体区相邻的第二部分中大于第一掺杂剂种类的掺杂剂浓度，其中沿着第一和第二部分的垂直延伸来确定平均掺杂剂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 碳化硅 构成 半导体 本体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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