[发明专利]具有由碳化硅构成的半导体本体的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置具有：

SiC半导体本体，其具有第一导电类型的第一半导体区和第二导电类型的第二半导体区；

其中所述第一半导体区在所述SiC半导体本体的第一表面上电接触而且与所述第二半导体区构成pn结；

其中所述第一半导体区和所述第二半导体区沿垂直于第一表面的垂直方向重叠地布置；

其中所述第一半导体区具有第一掺杂剂种类和第二掺杂剂种类；

其中在所述第一半导体区的与所述SiC半导体本体的第一表面相邻的第一部分中所述第一掺杂剂种类的平均掺杂剂浓度大于在所述第一部分中所述第二掺杂剂种类的平均掺杂剂浓度；

其中在所述第一半导体区的与所述第二半导体区相邻的第二部分中所述第二掺杂剂种类的平均掺杂剂浓度大于在所述第二部分中所述第一掺杂剂种类的平均掺杂剂浓度，

其中沿着第一和第二部分的垂直延伸来确定所述第一掺杂剂种类的平均掺杂剂浓度和所述第二掺杂剂种类的平均掺杂剂浓度，

其中所述第一掺杂剂种类是B，而所述第二掺杂剂种类是Al或Ga。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一掺杂剂种类的最浅的掺杂剂能级距最近的带边缘的能量距大于所述第二掺杂剂种类的最浅的掺杂剂能级距最近的带边缘的能量距。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述第一半导体区的第二部分中所述第二掺杂剂种类的掺杂剂浓度的垂直分布具有至少一个峰值。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中在所述第一表面与所述一个峰值之间的垂直距离处在30nm至600nm的范围内。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述第一半导体区的第二部分中所述第二掺杂剂种类的掺杂剂浓度的垂直分布具有多个峰值，而且其中在所述多个峰值处的掺杂剂浓度随着与所述SiC半导体本体的第一表面的距离增加而降低。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中在所述第一表面与所述多个峰值中的最接近的峰值之间的垂直距离（dd）处在30nm至600nm的范围内。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述第一半导体区的第一部分中的第一掺杂剂种类的最大掺杂剂浓度小于在所述第一半导体区的第二部分中的第二掺杂剂种类的最大掺杂剂浓度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一掺杂剂种类的掺杂剂浓度的垂直分布比所述第二掺杂剂种类的掺杂剂浓度的垂直分布更深地伸入到所述SiC半导体本体中。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二掺杂剂种类的掺杂剂浓度的垂直分布与所述SiC半导体本体的第一表面有距离。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一半导体区附加地具有第一导电类型的第三掺杂剂种类，并且其中所述第三掺杂剂种类是与Al和Ga不同的种类。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一部分从所述第一表面出发在一个深度过渡到所述第二部分，并且其中所述深度在所述SiC半导体本体中的第一半导体区的垂直侵入深度的10%至85%之间的范围内。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二半导体区是漂移区。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述漂移区具有第一区和与所述第一区相比更轻掺杂的第二区，并且其中所述漂移区的第一区布置在所述第一半导体区与所述漂移区的第二区之间。