[发明专利]半导体结构及其制造方法与检测短路方法有效
| 申请号： | 202010139567.2 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111668191B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 苏宏铭;竹迫寿晃;曾俊侨 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构包括衬底、至少二待测结构、隔离结构以及检测短路结构。至少二待测结构配置于衬底上。至少二待测结构的材料包括导电材料。隔离结构夹于至少二待测结构之间。检测短路结构包括检测层，检测层配置于至少二待测结构中的一者上，以使至少二待测结构之间的短路缺陷可于电子束检测制程中被识别，且检测层的材料包括导电材料。另提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构的检测短路方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 检测 短路 | ||
【主权项】：
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