[发明专利]半导体装置、层合半导体装置以及用于制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202010127018.3 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111627883A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | D·阿勒斯;F·达奇;D·施莱瑟;T·施特克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/50 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，其包括引线框架，该引线框架包括至少第一和第二载体，所述第一和第二载体彼此横向地并排布置；至少第一和第二半导体管芯，所述第一半导体管芯布置在第一载体上并电耦合到第一载体，并且第二半导体管芯被布置在第二载体上并电耦合到第二载体；以及互连，其被配置为将第一载体机械地固定到第二载体并且使第一载体与第二载体电绝缘，其中，第一和第二半导体管芯至少部分地暴露于外部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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