[发明专利]光掩模坯料的设计和光掩模坯料有效
| 申请号： | 202010110602.8 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111290213B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 笹本纮平;金子英雄;稻月判臣;深谷创一 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;G03F1/26 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 杜丽利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 坯料 设计 | ||
【主权项】：
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- 本实用新型的目的在于提供一种在EUV曝光中对氢自由基充分具有耐性的防护薄膜框架、防护薄膜、曝光原版、装置与系统、半导体及液晶显示板的制造系统。本实用新型提供的防护薄膜框架，其为EUV曝光用的防护薄膜框架，在所述防护薄膜框架至少设置一个通气部，且在所述通气部内安装具有被树脂被覆的多孔质膜的过滤器；提供一种防护薄膜，在所述防护薄膜框架张设防护膜；提供一种带防护薄膜的曝光原版，其为EUV曝光用的带防护薄膜的曝光原版，在曝光原版装设有所述防护薄膜；且提供一种曝光装置、曝光系统、半导体的制造系统及液晶显示板的制造系统。
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
