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[发明专利]弹性体组合物及其制造方法、交联物、以及成型体-CN202280018979.8在审
发明人：武山庆久;上野真宽;岸良一;小久保研;山田健郎 -专利权人：日本瑞翁株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C08L21/00 文献下载
摘要：一种弹性体组合物，相对于100质量份的弹性体，其以1质量份以上且小于60质量份的比例含有溶媒，上述溶媒包含与碳纳米管亲和性高的、沸点为200℃以下的有机溶剂A和与弹性体亲和性高的、沸点为200℃以下的有机溶剂B，上述溶媒的弹性体的体积溶胀度为150％以上并且相对能量差(REDCNT)为1.5以下。
弹性体组合及其制造方法交联以及成型

[发明专利]曝光用防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及曝光用防护膜的制造方法-CN202180027875.9有效
发明人：小野阳介;石川比佐子;小川亮平;大久保敦;高村一夫;关口贵子;加藤雄一;山田健郎;周英 -专利权人：三井化学株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。
曝光防护组件原版装置制造方法

[发明专利]防护膜及其组件和组件框体、组件制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法-CN202310651908.8在审
发明人：小野阳介;大久保敦;高村一夫;关口贵子;加藤雄一;山田健郎 -专利权人：三井化学株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述防护膜的碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与碳纳米管片的面内方向的峰强度之比RB为0.40以上。
防护及其组件制造方法曝光原版装置半导体

[发明专利]防护膜及其组件和组件框体、组件制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法-CN202310652861.7在审
发明人：小野阳介;大久保敦;高村一夫;关口贵子;加藤雄一;山田健郎 -专利权人：三井化学株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为50nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述碳纳米管片具有面内取向的所述捆彼此缠绕的网状结构，该网状结构具有基于以特定观察倍率拍摄的特定范围的SEM图像或AFM图像观察到的、3根以上的捆缠绕而连结的捆的连结点。
防护及其组件制造方法曝光原版装置半导体

[发明专利]防护膜及其组件和组件框体、组件制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法-CN202310652312.X在审
发明人：小野阳介;大久保敦;高村一夫;关口贵子;加藤雄一;山田健郎 -专利权人：三井化学株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述防护膜的碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与碳纳米管片的面内方向的峰强度之比RB为0.40以上，上述防护膜具有50％以上的透射率。
防护及其组件制造方法曝光原版装置半导体

[发明专利]防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件、其制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法-CN201780038819.9有效
发明人：小野阳介;大久保敦;高村一夫;关口贵子;加藤雄一;山田健郎 -专利权人：三井化学株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、半导体装置的制造方法。一种曝光用防护膜，是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向。
防护组件制造方法曝光原版装置半导体

[发明专利]碳纳米管分散液-CN201811345052.7在审
发明人：畠贤治;阿多诚介;山田健郎 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C01B32/174 文献下载
摘要：提供一种碳纳米管分散液，其用于制作能够以低添加量的碳纳米管发挥高导电性的碳纳米管复合材料。本发明的碳纳米管分散液具备：碳纳米管组，具备平均直径1nm以上且30nm以下的碳纳米管不均匀地分散在基质中并在所述基质中三维地遍布的网眼结构；以及母材区域，其为通过基于光学显微镜的观察而观察不到所述碳纳米管的集合体且几乎不存在所述碳纳米管的区域，或者即使存在所述碳纳米管，也与所述碳纳米管组相比较具有低的碳纳米管的密度。
碳纳米管碳纳米管分散液基质碳纳米管复合材料光学显微镜高导电性网眼结构不均匀集合体添加量观察母材三维制作

[发明专利]碳纳米管复合材料-CN201280048249.9在审
发明人：畠贤治;阿多诚介;山田健郎 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：提供一种碳纳米管复合材料，能够以低添加量的碳纳米管发挥高导电性。本发明的碳纳米管复合材料是将碳纳米管分散到基质中而成的碳纳米管复合材料，其特征在于，具备由多个碳纳米管构成的碳纳米管组和母材区域，碳纳米管的混合量为0.0001％重量以上1.0％重量以下，碳纳米管复合材料的电导率为10^-7S/cm以上。
纳米复合材料

[发明专利]CNT金属复合材料及其制造方法-CN201180063205.9无效
发明人：畠贤治;山田健郎;钱德拉莫利·苏布拉马尼亚姆 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C25D7/00 文献下载
摘要：本发明提供将镀敷金属镀敷至高密度的CNT集合体的内部并具有高导电性的CNT镀敷金属复合材料及其制造方法。还提供将CNT镀敷金属复合材料进行图案化的方法。本发明的CNT金属复合材料具备在多个CNT上附着金属而成的CNT集合体，使用Cu-Kα射线作为射线源进行X射线衍射分析时，归属于上述金属的强度最大的峰值与归属于上述金属的氧化物的强度最大的峰值的强度比为10以上，并且体积电阻率为2×10-6Ω·cm以上5×10-3Ω·cm以下。
cnt 金属复合材料及其制造方法

[发明专利]碳纳米管结构体及其制造方法-CN200910003608.9无效
发明人：畠贤治;早水裕平;山田健郎 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种仅由具有所期望的机械特性/电特性以及各向异性的碳纳米管(CNT)整体形成的任意立体形状的结构体及其制造方法。该CNT结构体(1)由包含从在基板表面上以直线状形成的金属催化剂膜沿一定方向化学气相生长的多个CNT的CNT聚集体(2)构成，其中，所述CNT的重量密度为0.1g/cm³以上，并且具有与基板(3)抵接的第一部分(2A)、从所述基部分离的第二部分(2B)、以及连结所述第一部分与所述第二部分的弯曲形状的第三部分(2C)，所述第一部分、所述第二部分以及所述第三部分中至少一部分CNT的取向轴是连续的。
纳米结构及其制造方法

[发明专利]双层碳纳米管及定向双层碳纳米管整体结构体及这些的制造方法-CN200680043856.0有效
发明人：畠贤治;山田健郎;汤村守雄;饭岛澄男 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2006-11-27 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供：由多个定向双层碳纳米管构成的，高度0.1μm以上的定向双层碳纳米管整体结构体及双层碳纳米管，并在金属催化剂存在下，该催化剂的粒径、膜厚可以控制，优选在水分存在下使碳纳米管进行化学气相成长而制造。由此提供：不混入催化剂、高纯度，定向或成长的控制容易，并且可通过整体结构体的形成进行成膜，放电子特性优良的双层碳纳米管(特别是定向了的双层碳纳米管整体结构体)及其制造技术。
双层纳米定向整体结构这些制造方法

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