[发明专利]光掩模坯料的设计和光掩模坯料

权利要求书

1.光掩模坯料，其被加工成包含透明基材与包括相对于波长为200nm以下的曝光光的透光区和遮光区的膜的图案的光掩模，使得当通过该光掩模的透光区透射曝光光时可转印膜图案，

该光掩模坯料包含透明基材，具有至少30原子％的氮和氧的总含量的遮光膜，和具有至少60原子％的金属总含量的导电反射膜，该导电反射膜在它的与该遮光膜相反的表面上具有相对于预定波长范围为曝光光波长～500nm的光的至少2.5％/nm的比反射率，并且具有2,000Ω/□以下的薄层电阻率，该比反射率等于反射率除以膜厚度(nm)，其中该遮光膜在该透明基材和该导电反射膜之间形成，

该导电反射膜相邻于该遮光膜形成，并且作为在该坯料上远离该基材的最外层形成。

2.权利要求1所述的光掩模坯料，其中该导电反射膜具有10nm以下的厚度。

3.权利要求1所述的光掩模坯料，其中该遮光膜具有至少30nm的厚度。

4.权利要求1所述的光掩模坯料，其中该导电反射膜包含15原子％以下的合计的氮和氧。

5.权利要求1所述的光掩模坯料，其中该光掩模坯料中包括的任何含金属的膜具有相对于200nm以下波长的曝光光的至少2.0的总光学密度。

6.权利要求5所述的光掩模坯料，进一步包含在该基材和该遮光膜之间的另外的光学膜。

7.权利要求6所述的光掩模坯料，其中该另外的光学膜为相移膜。

8.权利要求7所述的光掩模坯料，其中该遮光膜和该相移膜的组合具有相对于200nm以下波长的曝光光的至少2.0的总光学密度。

9.权利要求1所述的光掩模坯料，其中该导电反射膜具有至少80原子％的金属总含量。

10.权利要求1所述的光掩模坯料，其中该金属为铬。

11.权利要求1所述的光掩模坯料，其中所述预定波长包括157nm、193nm、257nm和405nm的全部波长，该导电反射膜具有相对于全部的所述波长的光的至少2.5％/nm的所述比反射率。