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[发明专利]一种掩膜板的修复方法-CN201910143194.3有效
发明人： 张健澄;吴苇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种掩膜板的修复方法。本发明实施例通过在掩膜板的缺陷上形成堆积结构，以增加缺陷体积，由此，能够增加在清洗过程中缺陷受到的冲击力，并通过清洗所述掩膜板，以移除所述缺陷。可以提高掩膜板的精度。
一种掩膜板修复方法

[实用新型]掩模版清洗装置和掩模版清洗设备-CN202223296229.3有效
发明人： 张健澄;高东元;徐龙 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种掩模版清洗装置和掩模版清洗设备，所述掩模版清洗装置包括：承载台、清洗载具、药剂喷洒组件和紫外发射组件；所述承载台用于放置掩模版；所述清洗载具设置于所述承载台上方；所述药剂喷洒组件和所述紫外发射组件设置于所述清洗载具上，所述药剂喷洒组件用于向所述掩模版喷洒清洗药剂，所述紫外发射组件用于向所述掩模版照射紫外线；所述紫外发射组件包括紫外线发射器和保护罩，所述保护罩设置于所述紫外线发射器靠近所述药剂喷洒组件的一侧，用于阻止所述清洗药剂与所述紫外线发射器接触，所述紫外发射组件位于所述药剂喷洒组件与所述承载台之间的布局，使得所述紫外发射组件相对更临近所述载片台，以提升紫外线照射效果。
模版清洗装置设备

[发明专利]光刻板及掩模修正方法-CN201711292209.X有效
发明人： 张健澄;吴苇;张晨波 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻板及掩模修正方法，涉及半导体技术领域。其中在掩模修正方法中，在基底上形成图案化的掩模，根据掩模确定在基底上嵌入散射条的位置，在确定的位置上设置开口，以便将散射条嵌入到开口中。通过将散射条嵌入光刻板的基底中，从而可有效避免散射条对掩模图案的影响，降低沉积损失，提高修正效果，并缩短修正时间。
刻板修正方法

[实用新型]去除光掩模保护膜的装置-CN202221584391.2有效
发明人： 张健澄;高东元;徐龙 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种去除光掩模保护膜的装置，应用于设置有保护膜的光掩模，包括：本体部、加热板；所述本体部一侧设置凹槽，所述凹槽内设置有所述加热板，所述凹槽的深度大于所述加热板的高度；所述加热板用于放置所述光掩模，以对所述光掩模进行加热处理。本实用新型能够达到保护膜与所述光掩模之间的胶软化的目的，易于保护膜的拆除；同时，软化后的胶更易于清洗，不会对后续清洗工艺造成较大的清洗难题。
去除光掩模保护膜装置

[发明专利]光掩模缺陷定位方法及消除方法-CN202210758520.3在审
发明人： 张健澄 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明提供了一种光掩模缺陷定位方法及消除方法。所述光掩模缺陷定位方法包括获取目标光掩模中刻蚀掩模层中电子图像，所述目标光掩模包括透明衬底层和若干个设置在所述透明衬底层上的刻蚀掩模层，所述刻蚀掩膜层存在缺陷；根据所述电子图像获取所述电子图像中的图像缺陷位置；根据所述图像缺陷位置确定所述刻蚀掩模层中的实际缺陷位置，根据所述实际缺陷位置在所述透明衬底层表面进行刻蚀沉积处理以形成若干个定位点。本发明能够提高光掩膜缺陷修补的准确率和效率，降低重复修补的情况。
光掩模缺陷定位方法消除

[发明专利]一种掩膜板缺陷的修复方法-CN201910747024.6在审
发明人： 张健澄 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜板缺陷的修复方法，对掩膜板的缺陷区域进行修复填充处理之前，在缺陷区域周侧的基底上沉积光晕材料层。本发明通过在缺陷区域周侧的基底上沉积光晕材料层，能够在掩膜板的缺陷区域的周侧形成光晕以对基底形成保护，由此可以防止在聚焦离子束进行缺陷区域修复的时候在基底上形成离子层。相比于现有技术中，需要进行多次刻蚀以去除缺陷周围的离子层的方法，本申请提供的掩膜板缺陷的修复方法步骤更少，耗时更短。由于沉积了光晕材料层来保护缺陷区域周侧的基底，在进行缺陷修复的时候，可以任意设置参数，离子束修复工具的质量不会对修复质量造成太大影响，从而掩膜板修复的效果更好。
一种掩膜板缺陷修复方法

[发明专利]一种光罩的缺陷修复方法及光罩-CN201810779833.0在审
发明人：林大伟;张健澄;吴苇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明提供一种光罩的缺陷修复方法及光罩，所述方法包括：提供待修复光罩，所述待修复光罩包括遮光层以及形成在所述遮光层中的透光图案，所述透光图案包括具有缺陷的待修复图案；在所述待修复图案的外侧形成透光的若干散射条，以对所述待修复图案进行光补偿。本发明的方法过程更加容易控制，降低产生二次损伤缺陷的风险，可以提高修复合格率，降低修复循环次数。
光罩修复图案修复透光图案遮光层二次损伤缺陷修复光补偿散射条透光合格率

[发明专利]一种光罩的缺陷修复方法及光罩-CN201810457978.9在审
发明人：张晨波;张健澄 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明提供一种光罩的缺陷修复方法及光罩，所述方法包括：提供待修复光罩，所述待修复光罩包括遮光层以及形成在所述遮光层中的透光图案，所述透光图案包括具有缺陷的待修复图案；在邻近所述缺陷的部分所述遮光层上形成散射图案。本发明的方法过程更加容易控制，能够对小尺寸的挑战性缺陷进行补救，并且该方法不会对光罩上的正常图案造成损伤，可以提高修复合格率，降低修复循环次数。
光罩遮光层修复透光图案缺陷修复散射图案修复图案正常图案补救损伤合格率邻近

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