[发明专利]三维半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 202010090875.0 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN112687551A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 余振华;郭立中;卢思维;施应庆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/40 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文阐述三维半导体封装及其制造方法。所述方法包括：在中介层上安装管芯堆叠，在管芯堆叠之上分配热界面材料层且将热散布元件放置在管芯堆叠之上并通过热界面材料层将热散布元件附接到管芯堆叠。热界面材料层在管芯堆叠及中介层与热散布元件之间提供可靠的粘着层及高效的导热路径。因此，防止热界面材料层从热散布元件分层，提供从管芯堆叠到热散布元件的高效热传递，且通过中介层与热散布元件之间的热界面材料层减小沿着热路径的热阻。因此，热界面材料层降低整体运行温度并增加三维半导体封装的整体可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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