[发明专利]三维半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 202010090875.0 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN112687551A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 余振华;郭立中;卢思维;施应庆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/40 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种三维半导体封装的制造方法，其特征在于，包括：
在半导体封装之上应用热界面材料，所述热界面材料包括芯体材料及导热性填充材料，所述热界面材料包含第一填充粒子及第二填充粒子，所述第一填充粒子具有第一大小分布，所述第二填充粒子具有与所述第一大小分布独立的第二大小分布；以及
将散热元件放置在所述半导体封装之上，所述热界面材料将所述散热元件热耦合到所述半导体封装，使得所述第一填充粒子的第一侧在实体上接触所述半导体封装且所述第一填充粒子的第二侧在实体上接触所述散热元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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