[发明专利]一种氮化镓器件及氮化镓封装结构及方法在审
| 申请号： | 202010039926.7 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111211103A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 尹宝堂;刘军;董雱;邢艳 | 申请（专利权）人： | 辽宁百思特达半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50 |
| 代理公司： | 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 陈炳萍 |
| 地址： | 124010 辽宁省盘锦市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种氮化镓器件及氮化镓封装结构及方法，氮化镓芯片下端贴敷有第一引线框架，第一引线框架下端贴敷有金属板，第一印线框架右侧设置有贴敷在金属板上侧的第二引线框架，第二引线框架上端贴敷有硅芯片；氮化镓芯片和硅芯片上端均一体连接有多个凸起，凸起分别与氮化镓芯片和硅芯片的各个电极连接，氮化镓芯片和硅芯片上表面均贴敷有绝缘保护层。本发明中的化镓芯片和硅芯片通过凸设的金属凸起作为电极，用于与外界电连接，不需要额外设置引脚，减小了封装体积，便于安装，不但避免了各个引线指之间会有交点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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