[发明专利]一种氮化镓器件及氮化镓封装结构及方法

权利要求书

1.一种氮化镓器件，其特征在于，所述氮化镓器件设置有：

氮化镓芯片；

所述氮化镓芯片下端贴敷有第一引线框架，第一引线框架下端贴敷有金属板，第一印线框架右侧设置有贴敷在金属板上侧的第二引线框架，第二引线框架上端贴敷有硅芯片；

所述氮化镓芯片和硅芯片上端均一体连接有多个凸起，凸起分别与氮化镓芯片和硅芯片的各个电极连接，氮化镓芯片和硅芯片上表面均贴敷有绝缘保护层，绝缘保护层表面开设有多个通孔，通孔套设在对应的凸起外侧。

2.如权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，所述氮化镓芯片的源极凸起与硅芯片的漏极凸起分别与第一引线框架连接，氮化镓芯片的栅极凸起和硅芯片的源级凸起分别与第二引线框连接。

3.如权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，所述第一引线框架和第二引线框架的中间粘贴有绝缘层。

4.一种用于如权利要求1-3任意一项所述的氮化镓器件的氮化镓封装结构，其特征在于，所述氮化镓封装结构设置有：

基座；

所述基座上端胶接有固定槽，固定槽内侧放置有氮化镓器件，固定槽上端铺设有填充层，填充层上端铺设有盖板，盖板与固定槽边沿胶接；

所述固定槽边沿嵌装有多条引线，引线与固定槽内部氮化镓器件的电极连接，引线外端连接有引脚条。

5.如权利要求4所述的氮化镓封装结构，其特征在于，所述基座下侧粘接有散热板，散热板下端中间开设有多段空隙。

6.如权利要求4所述的氮化镓封装结构，其特征在于，所述引脚条外端开设有连接孔，连接孔上端外周焊接有环形围板。

7.如权利要求4所述的氮化镓封装结构，其特征在于，所述填充层为软性导热硅胶片，厚度为1.2—0.005mm到1.2+0.005mm，使用温度为30摄氏度到230摄氏度。

8.如权利要求7所述的氮化镓封装结构，其特征在于，所述软性导热硅胶片上开有通孔。

9.如权利要求4所述的氮化镓封装结构，其特征在于，所述绝缘保护层为聚酯薄膜，薄膜厚度范围为：0.06-0.003mm到0.06+0.003mm。

10.一种用于权利要求4-9任意一项所述的氮化镓封装结构的氮化镓封装方法，其特征在于，所述氮化镓封装方法包括以下步骤：

(1)将氮化镓芯片和硅芯片分别贴敷在第一引线框架和第二引线框架上端，将第一引线框架和第二引线框架间隔贴敷在金属板表面；

(2)在氮化镓芯片和硅芯片的上表面铺设绝缘保护层，绝缘保护层的多个通孔分别套设在氮化镓芯片和硅芯片的对应凸起外侧，完成氮化镓器件的组装；

(3)将组装完成的氮化镓器件放置在固定槽内侧，将氮化镓器件的多个凸起电极与外侧引线连接；

(4)在氮化镓器件上表面铺设填充层，填充层上侧盖设盖板，在盖板与固定槽边沿的缝隙之间填充树脂密封固定。