[发明专利]化合物半导体基板在审
| 申请号： | 201980086082.7 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN113227467A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 大内澄人;铃木悠宜;生川满久;川村启介 | 申请（专利权）人： | 爱沃特株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/34;C30B25/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴克鹏 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供能够降低含Al(铝)的氮化物半导体层内的穿透位错的化合物半导体基板。一种化合物半导体基板，具备：Si(硅)基板；第1的Al氮化物半导体层，其被形成于Si基板之上，是Al浓度沿着厚度方向随着从Si基板远离而减少的倾斜层；GaN(氮化镓)层，其被形成于第1的Al氮化物半导体层之上，具有比第1的Al氮化物半导体层的平均Al浓度低的平均Al浓度；第2的Al氮化物半导体层，其被形成于GaN层之上，具有比GaN层的平均Al浓度高的平均Al浓度。第2的Al氮化物半导体层内的厚度方向的任意位置处的穿透位错密度比第1的Al氮化物半导体层内的厚度方向的任意位置处的穿透位错密度低。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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