[发明专利]功率半导体装置及其制造方法以及电力变换装置在审
| 申请号： | 201980056495.0 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112655087A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 岩井贵雅;藤野纯司;川岛裕史 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 于丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 功率半导体装置(1)具备：引线部件(10)、半导体元件(20)和模制树脂(30)。引线部件(10)包括多个引线端子(11)，多个引线端子(11)从模制树脂(30)的内侧延伸至外侧。多个引线端子(11)各自包括：根基部(11A)，在模制树脂(30)的外侧，被配置于放置半导体元件(20)的区域侧并且在从模制树脂(30)突出的方向上延伸；以及末端部(11B)，在与根基部(11A)不同的方向上延伸并且从根基部(11A)观察时被配置于放置半导体元件(20)的区域的相反侧。根基部(11A)延伸的长度在多个引线端子(11)中的彼此相邻的1对引线端子(11)之间互不相同。多个引线端子(11)的各个引线端子中的至少根基部(11A)的表面被涂敷树脂(40)覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 电力 变换 | ||
【主权项】：
暂无信息
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