[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980046773.4 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN112424948A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 杉本雅裕;高桥勋;四户孝;雨堤耕史 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;C23C16/40;H01L21/28;H01L21/329;H01L21/365;H01L21/368;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 辛雪花;周艳玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置(例如，结势垒肖特基二极管等)，在n型半导体层与电极之间设置有多个p型半导体(例如，镁掺杂氧化镓等)，所述半导体装置的特征在于，所述n型半导体层包含具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体(例如，α型氧化镓等)作为主成分，设置有三个以上的所述p型半导体，并且所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社FLOSFIA，未经株式会社FLOSFIA许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980046773.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：乙酸纤维素组合物及成型体
- 下一篇：具有一件式内转子-转子芯的电动机
- 同类专利
- 专利分类
