[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，在n型半导体层与电极之间设置有多个p型半导体，所述半导体装置的特征在于，

所述n型半导体层包含具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分，设置有三个以上的所述p型半导体，并且所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述p型半导体向所述电极内突出。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述结晶性氧化物半导体至少包含镓。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述结晶性氧化物半导体为α-Ga₂O₃或其混晶。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述p型半导体为包含选自元素周期表第13族及第9族中的一种或两种以上的金属的氧化物半导体。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

所述p型半导体为包含镓的氧化物半导体。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

所述p型半导体为具有刚玉结构或六方晶结构的结晶性氧化物半导体。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其中，

设置有十个以上的所述p型半导体。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，

所述p型半导体在所述n型半导体层上外延生长。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

所述p型半导体包括横向生长区域。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置为二极管。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置为结势垒肖特基二极管。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置为功率器件。

14.一种半导体系统，具备半导体装置，其中，

所述半导体装置为权利要求1～13中任一项所述的半导体装置。