[发明专利]一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 201911411742.2 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111009496B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 魏志鹏;唐吉龙;贾慧民;晏长岭;宿世臣;李辉;房丹;林逢源;王晓华;马晓辉 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/367;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法。本发明提供的衬底背面具有周期孔洞结构，周期孔洞结构中制备了表面和衬底背面齐平的金刚石薄膜，增加了衬底材料与金刚石的接触面积，提高了衬底的热导率，利用本发明提供的衬底制备光电子器件，器件背面周期孔洞结构中的的金刚石薄膜可以将器件芯片产生的废热快速的传递到热沉中，提高器件的散热效率，提高器件的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高热 半导体 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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