[发明专利]半导体芯片裸片及其制造方法在审
| 申请号： | 201911380317.1 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113053844A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张乃千;潘盼 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 蒋姗 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体芯片裸片及其制造方法，该半导体芯片裸片包括：基底，基底包括相对的第一侧面及第二侧面；基于第一侧面形成的源极、栅极和漏极；基于第二侧面形成的种子金属层；基于种子金属层形成的背面金属层；基于背面金属层形成的焊料层。通过在半导体芯片裸片的制造过程中在背面金属层上形成焊料层，使得焊料层的尺寸可以较好地与半导体芯片裸片的尺寸契合，并且在封装过程中，不需要再执行额外的步骤将焊料设置在背面金属层和管壳之间，从而可以降低封装工艺的难度和复杂程度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州能讯高能半导体有限公司，未经苏州能讯高能半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911380317.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
