[发明专利]用于测量半导体装置的方法及系统在审

专利信息
申请号: 201911252992.6 申请日: 2019-12-09
公开(公告)号: CN111384030A 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: A·查杜鲁;L·R·科潘施皮雷-罗斯;M·D·肯尼 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/66;H01L23/48;H01L23/488;H01L25/18
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本文中揭示用于测量半导体装置的方法及系统。在一个实施例中,一种半导体装置包含各自具有若干测量特征的多个经堆叠半导体裸片,所述测量特征沿着所述多个经堆叠半导体裸片的表面的外周边形成。一或多个图像捕获装置可将所述半导体装置成像,且控制器可在从所述图像捕获装置接收的成像数据中检测所述测量特征。所述控制器可进一步确定所述测量特征中的两者或多于两者之间的距离以估计堆叠中的半导体裸片之间的接合线厚度。
搜索关键词: 用于 测量 半导体 装置 方法 系统
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911252992.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top