[发明专利]半导体制作方法在审
| 申请号： | 201911185498.2 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110854121A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 何理;巨晓华;王奇伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成遂穿氧化层；刻蚀所述遂穿氧化层形成和所述衬底形成浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构和所述遂穿氧化层上形成浮栅；在所述浮栅上形成ONO层；使用酸刻蚀所述ONO层；在剩余的所述ONO层形成控制栅。在本发明提供的半导体制作方法中，通过使用酸进行湿法刻蚀的方式，轻松去除了ONO层的氮化层，降低刻蚀过刻蚀带来的影响，实现清除干净ONO层侧壁的作用，防止出现篱笆和小孔的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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