[发明专利]半导体制作方法在审
| 申请号： | 201911185498.2 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110854121A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 何理;巨晓华;王奇伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制作方法 | ||
1.一种半导体制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成遂穿氧化层；
刻蚀所述遂穿氧化层形成和所述衬底形成浅沟槽隔离结构；
在所述浅沟槽隔离结构和所述遂穿氧化层上形成浮栅；
在所述浮栅上形成ONO层；
使用酸刻蚀所述ONO层；
在剩余的所述ONO层形成控制栅。
2.如权利要求1所述的半导体制作方法，其特征在于，所述形成浮栅的方法包括：在所述浅沟槽隔离结构和所述遂穿氧化层上形成浮栅层，刻蚀所述浮栅层露出所述浅沟槽隔离结构的表面形成浮栅。
3.如权利要求1所述的半导体制作方法，其特征在于，所述ONO层为二氧化硅-氮化硅-二氧化硅三层组合。
4.如权利要求1所述的半导体制作方法，其特征在于，所述酸选取SC1或SC2。
5.如权利要求4所述的半导体制作方法，其特征在于，所述酸的热度为60度～70度。
6.如权利要求5所述的半导体制作方法，其特征在于，使用酸刻蚀所述ONO层的方法包括：使用酸刻蚀ONO层露出所述浅沟槽隔离结构的表面。
7.如权利要求1所述的半导体制作方法，其特征在于，形成所述控制栅后，所述半导体制作方法还包括：在所述控制栅上形成一掩膜层，在所述掩膜层上形成正硅酸乙酯层。
8.如权利要求7所述的半导体制作方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮化硅。
9.如权利要求1所述的半导体制作方法，其特征在于，所述遂穿氧化层的材料为二氧化硅。
10.如权利要求1所述的半导体制作方法，其特征在于，所述浮栅和所述控制栅的材料为多晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
