[发明专利]一种半蚀刻引线框架结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201911122929.0 | 申请日： | 2019-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN110896064A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 张凯;任鹏飞;陆晓燕;任姣 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 赵海波 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半蚀刻引线框架结构及其制造方法，所述引线框架结构包括第一图形层(1)，所述第一图形层(1)上设置有第二图形层(2)，所述第一图形层(1)和第二图形层(2)之间设置有第一抗蚀层(4)，所述第一图形层(1)、第二图形层(2)和第一抗蚀层(4)外围包封有绝缘材料(3)，所述第二图形层(2)表面部分区域设置有第二抗蚀层(6)，所述第二图形层(2)表面未设置第二抗蚀层(6)的区域蚀刻至第一抗蚀层(4)从而形成半蚀刻凹槽(5)。本发明解决了传统工艺难以解决的均匀性问题，可以满足客户更多的半蚀刻深度要求，且工艺简单，生产周期短管控成本低，从而大大提高了产品在市场上的竞争优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 引线 框架结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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