[发明专利]一种半蚀刻引线框架结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半蚀刻引线框架结构，其特征在于：它包括第一图形层(1)，所述第一图形层(1)上设置有第二图形层(2)，所述第一图形层(1)和第二图形层(2)之间设置有第一抗蚀层(4)，所述第一图形层(1)、第二图形层(2)和第一抗蚀层(4)外围包封有绝缘材料(3)，所述第二图形层(2)表面部分区域设置有第二抗蚀层(6)，所述第二图形层(2)表面未设置第二抗蚀层(6)的区域蚀刻至第一抗蚀层(4)从而形成半蚀刻凹槽(5)。

2.根据权利要求1所述的一种半蚀刻引线框架结构，其特征在于：所述引线框架结构所有外露的金属层表面设置有表面金属镀层(7)。

3.一种半蚀刻引线框架结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

步骤一、取一金属基板；

步骤二、在金属基板正面电镀第一图形层；

步骤三、在金属基板正面进行绝缘材料预包封，将第一图形层包封起来；

步骤四、对包封后的金属基板进行表面研磨，使第一图形层露出来；

步骤五、在第一图形层上依次电镀第一抗蚀层和第二图形层；

步骤六、再次进行绝缘材料预包封，将第一抗蚀层和第二图形层包封起来；

步骤七、再次进行研磨，使第二图形层露出来；

步骤八、蚀刻掉背面的部分金属基板，将第一图形层从背面露出来；

步骤九、将不需要半蚀刻的区域电镀一层第二抗蚀层保护；

步骤十、直接进行蚀刻，将半蚀刻的凹槽蚀刻出来；

步骤十一、所有裸露在外的金属面电镀金属抗氧化层。

4.根据权利要求3所述的一种半蚀刻引线框架结构的制造方法，其特征在于：步骤三和步骤六中预包封方式采用转移注塑、热压注塑、压膜或涂胶的方式。

5.根据权利要求3所述的一种半蚀刻引线框架结构的制造方法，其特征在于：步骤三和步骤六中预包封绝缘材料采用塑封料、ABF膜或绝缘胶。

6.根据权利要求3所述的一种半蚀刻引线框架结构的制造方法，其特征在于：步骤五中的第一抗蚀层采用镍或锡。

7.根据权利要求3所述的一种半蚀刻引线框架结构的制造方法，其特征在于：步骤九中的第二抗蚀层采用镍或锡。

8.根据权利要求3所述的一种半蚀刻引线框架结构的制造方法，其特征在于：步骤十一中的金属抗氧化层采用镍金、镍钯金或锡。

9.根据权利要求3所述的一种半蚀刻引线框架结构的制造方法，其特征在于：步骤二～步骤四重复多次制作多层图形。