[发明专利]一种半蚀刻引线框架结构及其制造方法

说明书

本发明涉及一种半蚀刻引线框架结构及其制造方法，所述引线框架结构包括第一图形层(1)，所述第一图形层(1)上设置有第二图形层(2)，所述第一图形层(1)和第二图形层(2)之间设置有第一抗蚀层(4)，所述第一图形层(1)、第二图形层(2)和第一抗蚀层(4)外围包封有绝缘材料(3)，所述第二图形层(2)表面部分区域设置有第二抗蚀层(6)，所述第二图形层(2)表面未设置第二抗蚀层(6)的区域蚀刻至第一抗蚀层(4)从而形成半蚀刻凹槽(5)。本发明解决了传统工艺难以解决的均匀性问题，可以满足客户更多的半蚀刻深度要求，且工艺简单，生产周期短管控成本低，从而大大提高了产品在市场上的竞争优势。

技术领域

本发明涉及一种半蚀刻引线框架结构及其制造方法，属于半导体封装技术领域。

背景技术

随着现代科学的不断发展，半导体封装技术越来越广泛的应用于各个领域。它在汽车电子的大量应用使得对其可靠性要求比较高。为了得到更加良好的焊接性能，目前很多的引线框架会针对背面引脚做出一个半蚀刻区域(如图1，图2)，半蚀刻区域表面可以电镀防氧化的镀层，这样在切割后，侧面裸露的位置会覆盖镀层，在焊接时侧面因为有镀层的保护而不被氧化，可以很好的浸润到锡膏，使得焊接更加牢固。

现有的半蚀刻工艺，半蚀刻出来的区域，底部并非是全平的状态，而是类似U型(如图3)，而客户因为封装性能的要求，又需要这个U型的底部平坦区域足够长，这对工艺的要求非常严格，很难达到要求。并且，目前的蚀刻工艺，受条件影响，一旦客户要求的深度比较深，就会造成比较大的极差，难以满足客户的要求，还会存在产品被蚀穿的风险。诸如以上的种种工艺条件的限制，导致目前半蚀刻产品有一定局限性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种半蚀刻引线框架结构及其制造方法，得到的半蚀刻深度的均匀性更好，且能满足更多不同的深度要求。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种半蚀刻引线框架结构，它包括第一图形层，所述第一图形层上设置有第二图形层，所述第一图形层和第二图形层之间设置有第一抗蚀层，所述第一图形层、第二图形层和第一抗蚀层外围包封有绝缘材料，所述第二图形层表面部分区域设置有第二抗蚀层，所述第二图形层表面未设置第二抗蚀层的区域蚀刻至第一抗蚀层从而形成半蚀刻凹槽。

优选的，所述引线框架结构所有外露的金属层表面设置有表面金属镀层。

一种半蚀刻引线框架结构的制造方法，所述方法包括以下步骤：

步骤一、取一金属基板；

步骤二、在金属基板正面电镀第一图形层；

步骤三、在金属基板正面进行绝缘材料预包封，将第一图形层包封起来；

步骤四、对包封后的金属基板进行表面研磨，使第一图形层露出来；

步骤五、在第一图形层上依次电镀第一抗蚀层和第二图形层；

步骤六、再次进行绝缘材料预包封，将第一抗蚀层和第二图形层包封起来；

步骤七、再次进行研磨，使第二图形层露出来；

步骤八、蚀刻掉背面的部分金属基板，将第一图形层从背面露出来；

步骤九、将不需要半蚀刻的区域电镀一层第二抗蚀层保护；

步骤十、直接进行蚀刻，将半蚀刻的凹槽蚀刻出来；

步骤十一、所有裸露在外的金属面电镀金属抗氧化层。

优选的，步骤三和步骤六中预包封方式采用转移注塑、热压注塑、压膜或涂胶的方式。

优选的，步骤三和步骤六中预包封绝缘材料采用塑封料、ABF膜或绝缘胶。

优选的，步骤五中的第一抗蚀层采用镍或锡。