[发明专利]三维半导体存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911105606.0 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN111180418A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 黄盛珉;任峻成;金志荣;金智源;梁宇成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 范心田 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了三维半导体存储器件及其制造方法。可以提供一种三维半导体存储器件，包括：衬底，包括单元阵列区和连接区；电极结构，包括交替堆叠在衬底上的多个电极和多个介电层，电极结构在连接区上具有阶梯部分；蚀刻停止结构，在电极结构的阶梯部分上；以及多个接触插塞，在连接区上，接触插塞穿透蚀刻停止结构并且分别连接到电极的对应焊盘部分。蚀刻停止结构可以包括蚀刻停止图案和水平介电层，水平介电层具有均匀的厚度并且覆盖蚀刻停止图案的顶表面和底表面。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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