[发明专利]三维半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维半导体存储器件，包括：

衬底，包括单元阵列区和连接区；

电极结构，包括交替堆叠在所述衬底上的多个电极和多个介电层，所述电极结构在所述连接区上具有阶梯部分；

蚀刻停止结构，在所述电极结构的阶梯部分上；以及

多个接触插塞，在所述连接区上，所述多个接触插塞穿透所述蚀刻停止结构并分别连接到所述电极的对应焊盘部分，

其中所述蚀刻停止结构包括蚀刻停止图案和水平介电层，所述水平介电层具有均匀的厚度并且覆盖所述蚀刻停止图案的顶表面和底表面。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述水平介电层包括：

覆盖所述蚀刻停止图案的所述顶表面的第一部分；以及

覆盖所述蚀刻停止图案的所述底表面的第二部分，

其中所述第一部分和所述第二部分包括相同的材料。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述蚀刻停止图案包括与所述水平介电层的介电材料和所述介电层的介电材料不同的介电材料。

4.根据权利要求1所述的器件，还包括：

竖直结构，在所述单元阵列区上，所述竖直结构穿透所述电极结构；以及

水平阻挡介质层，覆盖所述电极的顶表面和底表面二者，

其中所述水平阻挡介质层的第一部分覆盖所述电极的第一侧壁，所述电极的所述第一侧壁与所述竖直结构相邻。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述水平介电层包括：

覆盖所述蚀刻停止图案的所述顶表面的第一部分；以及

覆盖所述蚀刻停止图案的所述底表面的第二部分，

其中所述水平介电层的所述第一部分和所述第二部分的厚度均小于所述水平阻挡介电层的所述第一部分的厚度。

6.根据权利要求1所述的器件，还包括：

缓冲介电层，在所述蚀刻停止图案和所述水平介电层之间。

7.根据权利要求6所述的器件，其中所述缓冲介电层包括与所述蚀刻停止图案的介电材料和所述水平介电层的介电材料不同的介电材料。

8.根据权利要求6所述的器件，还包括：

公共源极插塞，穿透所述电极结构，所述公共源极插塞沿第一方向延伸并与所述电极结构平行，

其中所述缓冲介电层的一部分在所述公共源极插塞与所述电极的第二侧壁之间，所述电极的所述第二侧壁与所述公共源极插塞相邻。

9.根据权利要求8所述的器件，其中所述缓冲介电层在所述蚀刻停止图案与所述水平介电层之间的厚度大于所述缓冲介电层在所述电极的所述第二侧壁上的厚度。

10.根据权利要求1所述的器件，还包括：

公共源极插塞，穿透所述电极结构，所述公共源极插塞沿第一方向延伸并与所述电极结构平行；以及

侧壁间隔物，在所述公共源极插塞与所述电极结构之间，

其中所述侧壁间隔物覆盖所述蚀刻停止图案的侧壁。

11.根据权利要求10所述的器件，其中，

所述电极的侧壁与所述公共源极插塞的侧壁间隔开第一水平距离，

所述蚀刻停止图案的侧壁与所述公共源极插塞间隔开第二水平距离，并且

所述第二水平距离大于所述第一水平距离。

12.根据权利要求1所述的器件，其中，

所述电极中的每一个沿垂直于所述衬底的顶表面的第二方向具有第一厚度，以及

所述蚀刻停止结构在所述阶梯部分上沿所述第二方向具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。

13.根据权利要求1所述的器件，还包括：

焊盘介电层，在所述蚀刻停止结构与所述电极结构的所述阶梯部分之间，

其中所述焊盘介电层包括与所述蚀刻停止图案的介电材料不同的介电材料。