[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201910926998.0 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110970381B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 郭宏瑞;李明潭;游珽崵 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/544;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括密封第一集成电路管芯和第二集成电路管芯的模塑料；位于模塑料、第一集成电路管芯和第二集成电路管芯上方的介电层；以及位于介电层上方并且将第一集成电路管芯电连接到第二集成电路管芯的金属化图案。金属化图案包括多条导线。多条导线中的每条导线从金属化图案的第一区域穿过金属化图案的第二区域连续延伸至金属化图案的第三区域；并且在金属化图案的第二区域中具有相同类型的制造异常。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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