[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

模塑料，密封第一集成电路管芯和第二集成电路管芯；

介电层，位于所述模塑料、所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯上方；以及

金属化图案，位于所述介电层上方并且将所述第一集成电路管芯电连接到所述第二集成电路管芯，其中，所述金属化图案包括多条沿着第一方向延伸的导线，并且其中，所述多条导线中的每条导线：

从所述金属化图案的第一区域穿过所述金属化图案的第二区域连续延伸至所述金属化图案的第三区域；以及

在所述金属化图案的第二区域中具有相同类型的制造异常，

其中，在所述第二区域中，所述导线包括相对侧壁未对准的第一部分和第二部分，所述第一部分的沿所述第一方向的相对侧壁和所述第二部分的沿所述第一方向的相对侧壁均为平坦侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二区域位于所述第一集成电路管芯和第二集成电路管芯之间的所述模塑料上方。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介电层为聚合物。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属化图案包括铜、钛、钨、铝。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属化图案的第二区域设置在第一对准标记和第二对准标记之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括，第三对准标记和第四对准标记，其中，所述金属化图案包括位于所述第三对准标记和所述第四对准标记之间的第二多条导线，并且其中，所述第一对准标记和所述第三对准标记之间的距离等于所述第二对准标记和所述第四对准标记之间的距离。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述金属化图案包括位于所述第一对准标记和所述第三对准标记之间的第三多条导线。

8.一种形成半导体器件的方法，包括：

将第一集成电路管芯和第二集成电路管芯密封在模塑料中；

在所述第一集成电路管芯、所述第二集成电路管芯和所述模塑料上方沉积晶种层；

在所述晶种层上方沉积光刻胶；

对所述光刻胶的第一图案化区域实施第一曝光工艺以限定第一曝光区域；

在实施所述第一曝光工艺后，对所述光刻胶的第二图案化区域实施第二曝光工艺，以限定第二曝光区域，其中，所述第一图案化区域与所述第二图案化区域在拼接区域中重叠；

显影所述光刻胶以限定从所述第一图案区域穿过所述拼接区域延伸到所述第二图案区域的第一开口；

在所述第一开口中镀导电材料，其中，所述导电材料电连接所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯；以及

去除所述光刻胶，

其中，实施所述第一曝光工艺包括减小所述拼接区域中的由所述第一曝光工艺施加的曝光强度，其中，由所述第一曝光工艺施加的曝光强度在朝向所述第二图案化区域的方向上减小。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一曝光区域的形状在所述拼接区域中是三角形。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二曝光区域的形状在所述拼接区域中是三角形。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述导电材料的侧壁在所述拼接区域中未对准。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，由所述第一曝光工艺施加的曝光强度在朝向所述第二图案化区域的方向上连续减小。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，通过所述第一曝光工艺施加的曝光强度在朝向所述第二图案化区域的方向上以离散间隔减小。