[发明专利]功率器件封装方法及功率器件封装结构在审
| 申请号： | 201910791503.8 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN110504220A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 曹俊;史波;肖婷;马浩华;廖勇波;江伟;曾丹 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L25/065;H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司： | 11372 北京聿宏知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴大建;何娇<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率器件封装方法及功率器件封装结构，涉及半导体技术领域，用于提高现有的封装器件的过流能力题。本发明的功率器件封装方法，通过将第一芯片远离第一框架的侧面与第二芯片远离第二框架的侧面相连，并将所述第一框架与所述第二框架相连，使第一芯片、第二芯片、第一框架和第二框架能够被一同塑封在一个壳体内形成封装结构，使单个封装结构的过流能力增加大，从而降低应用端的成本；此外，由于将第一芯片和第二芯片都塑封在壳体内，因此相比塑封单个芯片的封装结构，相当于减少了封装结构的数量，从而大大缩减应用端实际体积。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装结构 功率器件 塑封 过流能力 封装 体内 半导体技术领域 单个封装 单个芯片 封装器件 侧面 应用端 应用 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件封装方法，其特征在于，包括以下步骤：/n将第一芯片与第一框架相连，将第二芯片与第二框架相连；/n将所述第一芯片远离所述第一框架的侧面与所述第二芯片远离所述第二框架的侧面相连，并将所述第一框架与所述第二框架相连；/n引出所述第一芯片或所述第二芯片的电极；/n将所述第一芯片、所述第二芯片、所述第一框架与所述第二框架塑封在同一塑封壳体内。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
