[发明专利]阵列基板的制备方法及阵列基板在审
申请号: | 201910776574.0 | 申请日: | 2019-08-22 |
公开(公告)号: | CN110600426A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 余朋飞 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板,该制备方法包括依次在基板上形成第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、平层层、公共电极层、保护层和像素电极层,半导体层通过第一过孔电连接第一金属层的源极,半导体层的部分电连接第二金属层的漏极,公共电极层的触控电极通过第二过孔电连接于第二金属层的触控信号线,像素电极层通过第三过孔电连接漏极。本申请通过将第一金属层的源极形成在半导体层的下方,将第二金属层的栅极、漏极和触控信号线设置在半导体层的上层,并将源极和漏极电连接半导体层形成新的晶体管结构,创造了新的制程。 | ||
搜索关键词: | 半导体层 电连接 第二金属层 漏极 第一金属层 源极 绝缘层 公共电极层 像素电极层 触控信号 阵列基板 制备 晶体管结构 触控电极 保护层 基板 制程 申请 上层 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/n提供一基板;/n在所述基板上形成图案化的第一金属层,所述第一金属层包括源极;/n在所述图案化的第一金属层上形成第一绝缘层;/n在所述第一绝缘层上形成图案化的半导体层,所述半导体层对应于所述源极的部分电连接于所述源极;/n在所述图案化的半导体层上形成第二绝缘层;/n在所述第二绝缘层上形成图案化的第二金属层,所述第二金属层包括触控信号线、栅极和漏极,所述漏极电连接于所述半导体对应于所述漏极的部分;/n在所述图案化的第二金属层上形成平坦层;/n在所述平坦层上形成图案化的公共电极层,所述图案化的公共电极层包括触控电极,所述触控电极电连接所述触控信号线;/n在所述图案化的公共电极层上形成保护层;/n在所述保护层上形成图案化的像素电极层,所述图案化的像素电极层包括像素电极,所述像素电极电连接于所述漏极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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